Eliana Acurio, MSc
Profesor Auxiliar
Oficina: 5to piso, Edificio de Ciencias
Extensión: 1527
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INVESTIGACIÓN:
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- Micro y nanotecnología
- Confiabilidad de dispositivos
- Materiales bidimensionales y sus aplicaciones
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- E. Acurio, F. Crupi, P. Magnone, L. Trojman, G. Meneghesso, and F. Iucolano, “On recoverable behavior of PBTI in AlGaN/GaN MOS-HEMT”, Solid. State. Electron., vol. 132, pp. 49–56, Jun. 2017. DOI:10.1016/j.sse.2017.03.007.
- E. Acurio, F. Crupi, P. Magnone, L. Trojman, and F. Iucolano, “Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al2O3 layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs”, Microelectron. Eng., vol. 178, pp. 42–47, Jun. 2017. DOI: 10.1016/j.mee.2017.04.044.
- E. Acurio et al., “Reliability Improvements in AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With a Gated Edge Termination”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 5, pp. 1765–1770, May 2018. DOI: 10.1109/TED.2018.2818409.
- E. Acurio et al., “Influence of GaN- and Si3N4 -Passivation Layers on the Performance of AlGaN/GaN Diodes With a Gated Edge Termination”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 2, pp. 883–889, Feb. 2019. DOI: 10.1109/TED.2018.2888809.
- E. Acurio, L. Trojman, F. Crupi, T. Moposita, B. De Jaeger, and S. Decoutere, “Reliability Assessment of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes under ON-state stress,” IEEE Trans. Device Mater. Reliab., pp. 1–1, 2020. DOI: 10.1109/TDMR.2020.2969638.
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- PVI-DFIS-2020-01: Sensibilización y exploración de ayudas técnicas (audífonos) que permitan una mejor inclusión de personas con discapacidad auditiva.
- PII-DFIS-2019-05: Estudio de confiabilidad de diodos de potencia basados en tecnología GaN.
- Ganancia energética de un sistema voltáico debido a seguimiento solar en uno y dos ejes en regiones ecuatoriales con aplicación a sistemas de movilidad: Caso bicicletas eléctricas. (2015)
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