Lionel Trojman

NANOELECTRÓNICA:
LA REVOLUCIÓN TECNOLÓGICA DEL SIGLO XXI

Conferencista: Lionel Trojman
(Universidad San Francisco de Quito)

En los últimos 60 años la electrónica ha experimentado uno de los desarrollos más increíbles en la historia de la humanidad. En pocas décadas hemos pasado de circuitos con componente discretos, con un numero de funciones y un desempeño muy limitados, a circuitos integrados con un numero de funciones y un desempeño que permite extender la aplicación de las computadoras a la telefonía, los multimedios, o bien de manera general a las aplicaciones inteligentes o “Smart application“. Una de las razones de tal expansión es la miniaturización del circuito electrónico. Hoy los circuitos integrados han alcanzado la posibilidad de integrar un sistema microscópico con componente electrónicos nanométricos. Estos circuitos microscópicos son desarrollados con tecnología CMOS o MOSFET y tienen un tamaño de alrededor de 20nm, razón por la cual a esta tecnología se la conoce como nanoelectrónica. Este desempeño tecnológico ha introducido la electrónica en todos los campos científicos y ha hecho de ésta la tecnología maestra a nivel internacional: no existe un equipo comercial que no contenga un circuito electrónico!. En esta charla presentaremos la nanoelectrónica desde el punto de vista físico y tecnológico. Se presentará el estado del arte de la nanoelectrónica y de sus aplicaciones y se concluirá con una discusión sobre posibilidades de estudio y formación en esta área.

ACERCA DEL AUTOR

FILIACIÓN:

  • Since September 2009: Professor of Electrical Engineering to the Universidad San Francisco de Quito (USFQ) – Colegio de Ciencia y Ingenieria, Quito (Ecuador). Researcher on micro-nanoelctronics currently working on ultra short device (<50nm)) with ultra thin EOT (0.5-1nm EOT) on planar, SOI and FinFET architectures.
  • Director of the Group of Research of Micro-Nanoelectronics (GIMNE)
  • Since 2013: co-director of PhD thesis in Nanoelectronics with the UNICAL (Italy)
  • 2013: Research project between IMEC, IM2NP ̈and USFQ about IFQW SiGe p-MOSFET
  • 2012: Research project between Imec, UNICAL and USFQ about ReRAM
  • 2012: Reasearch project in collaboration between Imec and USFQ aboutFDSOI MOSFET with 0.8nm EOT high-k Metal gate stack
  • 2011: Research project in collaboration between Imec and USFQ about the UTEOT high-k/Metal Gate Mosfet.
  • 2004-2009: Engineer of investigation to IMEC working on various project under the IMEC Industrial Afiliation Programs (IIAP) involving Samsung, Infineon, INTEL, Panasonic (among others)
  • 2003: Short term investigation project on “EEPROM: investigation on reliability” to the former Laboratoire de materiaux et Microelectronique de Provence (L2MP), now: Institut Materiaux Microelectroniqueet Nanoscience de Provence (IM2NP), France.
  • 2002: Short term investigation project on “Quantic impurity model applied to quantic semiconductor description” to the former Laboratoire de materiaux et Microelectronique de Provence (L2MP), now: Institut Materiaux Microelectroniqueet Nanoscience de Provence (IM2NP), France.

FORMACIÓN

  • 2004-2009: Ph.D in Electrical Engineer on the “Charge Carrier Mobility for advanced high-/Metal gate MOSFET for CMOS technology” to Interuniversity Microelectronic Center and KULeuven – Faculty of engineering, ESAS department (Belgium).
  • 2002-2004 : Master 2 degree in Electrical Engineering for Microlectronics and Telecomucications to the “Ecole Universitaire Polytechnique” of Marseille (France), MT Departement in “Université de Provence”.
  • 2003-2004 : Master 2 degree in Physics for complex systems applied to micro and nano-electronics, Université de Provence, Marseille (France)
  • 2002: Maste 1 degree in Fundamental Fisics, Université de Provence, Marseille
  • 2001: Licence of Fundamental Physics, Université de Provence, Marseille

Others:

  • TV interview on Photovoltaic technology, EcuadorTV, 2012
  • TV interview in “Futuro Incierto” on the nanotechnologies, TeleAmazona, June 2011.
  • Journal interview in “El Comercio” on the Nanotechnology January 2011.